三星3nm芯片工藝最早2021年量產

PingWest品玩1月12日訊，根據

Tom's Hardware

報導，三星計劃最早在2021年開始量產3nm工藝芯片。同時，三星計劃將在今年下半年開始生產7nm EUV芯片。

在去年，三星還表示將在2020年用上4nm GAAFET（Gate-all-around FET，或稱“環繞式結構FET”）工藝。當時一些業內人士預測，該工藝最早會在2022年實現量產，但目前看來三星會比預測更快的實現量產。