隨著移動端增長結構的改變，以及大數據、AI 和數據中心等新需求的興起，DRAM 市場正面臨巨大的增長機會和結構性變化。雖然DRAM 總體位元需求依然會維持在 20%左右，但需求結構正在發生改變。智能手機出貨量面臨瓶頸的背景下，移動端 DRAM 需求增長主要來自單機記憶體容量的提升。但伺服器和企業用 DRAM 需求則受益於大數據和 AI 訓練等新需求而快速增長。新興需求推動當前高度集中的 DRAM 市場格局難以適應推陳出新不斷發展的需求變化，正是新廠商的進入良機。
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什麽是DRAM
DRAM 記憶體和 Flash 閃存芯片是當前市場中最為重要的記憶體。DRAM 是最為常見的系統記憶體，雖然性能較為出色，但是其斷電易失，相比於其同級別的易失性記憶體，其成本更低，故而其在系統記憶體中最為常見；Flash 則是應用最廣泛的非易失性存儲，其斷電非易失性使其主要被應用於大容量存儲領域。
DRAM 和 Flash 是記憶體的重要分類
DRAM：記憶體常用的存儲介質。DRAM 的數據可存儲時間非常短，其使用電容存儲來保持數據，因而必須每隔一段時間進行一次刷新，否則信息就會丟失。與 SRAM 相比，DRAM 雖然速度更慢，且保持數據的時間也相對較短，但其價格卻更加便宜。由於技術上的差別，DRAM 的功耗較低，集成度高且體積更小，並且在速度上也優於所有的 ROM，故而被廣泛的應用。
Flash：大容量閃存。在記憶體發展的早期，ROM 一直作為系統的主要存儲設備，但目前其已被 Flash 全面代替了。在特點上，Flash 兼具 RAM和 ROM 和優勢，其不僅斷電後不會丟失數據，而且具有電子可擦除、可編程性能。雖然在讀取速度上 Flash 略遜於 DRAM，但是其速度仍然較快，且其成本遠低於 DRAM。在分類上，目前 Flash 主要分為 NOR和 NAND 兩種類型，二者區別主要在於讀取方式存在差異，以及存儲單元的連接方式不同。
DRAM 記憶體讀寫快成本高
在 DRAM 中，又可以根據技術規格的不同可以分為 DDR 系列、GPDDR系列、LPDDR 系列等類別。其中 DDR 系列為普通 DRAM，GPDDR 全稱圖形用雙倍數據傳輸率記憶體（Graphics Double Data Rate），是一種高性能顯卡使用的同步動態隨機存取記憶體，專為高帶寬需求計算機應用所設計。LPDDR 指的是低功耗雙倍數據傳輸率記憶體（Low PowerDouble Data Rate SDRAM），主要用於便攜設備。目前 DDR 和 DDR2已經基本退出市場，而以 DDR3、DDR4 以及 LPDDR 系列為主。
DRAM 技術規格不斷發展
DDR3 屬於 SDRAM 家族的記憶體產品，提供了相較於 DDR2 更高的運行效能與更低的電壓，是 DDR2 的後繼者（增加至八倍），也是現時流行的記憶體產品規格。DDR3 採用 8bit 預取設計，而 DDR2 為 4bit 預取，這樣 DRAM 內核的頻率只有等效數據頻率的 1/8，DDR3-800 的核心工作頻率只有 100MHz。其次，DDR3 採用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。最後，DDR3 採用 100nm 以下的生產工藝，將工作電壓從 DDR2 的 1.8V 降至 1.5V，增加異步重置（Reset）與 ZQ校準功能。
DDR 至 DDR4 逐代性能提升明顯
DDR4 記憶體是目前市場上新銳的 DDR 系列記憶體規格，第一條 DDR4 記憶體是在 2014年由三星研製成功。DDR4相比 DDR3最大的區別有三點：16bit 預取機制（DDR3 為 8bit），同樣內核頻率下理論速度是 DDR3 的兩倍；更可靠的傳輸規範，數據可靠性進一步提升；工作電壓降為 1.2V，更節能。
在未來，DDR5 規格也將到來，2018 年 10 月，Cadence 和鎂光公布了自己的 DDR5 記憶體研發進度，兩家廠商已經開始研發 16GB DDR5 產品，並計劃在 2019年底實現量產目標。DDR5的主要特性是芯片容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5 預計將帶來 4266 至 6400MT / s 的 I / O 速度，電源電壓降至 1.1 V。與 DDR4 相比，改進的 DDR5功能將使實際帶寬提高 36％，即使在 3200 MT / s 和 4800 MT / s 速度開始，與 DDR4-3200 相比，實際帶寬將高出 87％。與此同時，DDR5最重要的特性之一將是超過 16 GB 的單片芯片密度。
新技術和新結構支持 DDR5 功耗控制和性能提升
LPDDR（Low Power Double Data Rate SDRAM）是 DDR SDRAM 的一種，又稱為 mDDR(Mobile DDR SDRAM)，是美國 JEDEC 固態技術協會面向低功耗記憶體而制定的通信標準，以低功耗和小體積著稱，專門用於移動式電子產品。而 DDR/DDR3/DDR4/DDR5 是記憶體顆粒，記憶體條是把多顆顆粒一起嵌入板中而成，用於電腦等。
DRAM 長盛不衰，佔據存儲半壁江山
DRAM 是記憶體市場上的常青樹，從 1966 年 IBM 研發出世界上第一塊易失性記憶體（DRAM）開始，它就一直在我們的計算系統中佔據著核心位置。從現有的計算機系統結構來看，記憶體分為緩存、記憶體（主記憶體儲器）、外存（輔助記憶體）三大類。其中緩存要求速度高，但容量小，通常使用 SRAM。記憶體要求一定的讀寫速度和用來支持運行程序本身及所需數據的空間，相比於 SRAM，DRAM 保留數據的時間較短，速度也相對較慢，但從價格上來說 DRAM 價格較 SRAM 便宜很多，且由於技術區別，DRAM 體積小、集成度高、功耗低，同時其速度比所有 ROM都快，因此一直都是記憶體的不二之選。至於外存，相當於電腦的數據倉庫，對讀寫速度要求不及前二者，對容量需求巨大。
三大記憶體所用的介質中，DRAM 的地位最穩固，市場最大。因為 SRAM雖然價高，但是容量多年來增長很少，只需滿足計算機內部的數據傳遞即可。而外存容量需求的增長又過快，導致需要不停尋找新的介質。隨著數據的大量產生和電子設備的小型化趨勢，外存的介質一直在變化以適應需求，從磁盤/光碟/硬碟向 Flash 和 SSD 轉變。只有 DRAM 從誕生伊始就具備高密度、高容量的特點，從最初的 K 級到現在的 GB 級，DRAM本身的原理並沒有太大改變。
DRAM 在計算機系統中常用於高速中容量的記憶體
在半磁性存儲介質作為外存的年代，DRAM 幾乎就是半導體記憶體的代名詞。進入新世紀後，便攜設備的發展和半導體技術的成熟推動記憶體競爭向著 DRAM 和 Flash 雙線作戰的格局演變。而在這個過程中，又可以分為 NOR 時代和 NAND 時代。在智能機普及之前，便攜設備對存儲空間的要求並不大，加上 NOR Flash 支持隨機訪問的特性使它可以像普通 ROM 一樣執行程序，使它成為便攜設備的主流存儲載體。在 2002 年，DRAM 佔據了整個記憶體市場 55%的銷售額，而 NOR Flash 佔 21%。NAND Flash 隻佔 8%，主要用於 MP3、SD 卡和 U 盤等需要較大儲存空間的應用場合。
流水的外存，鐵打的 DRAM。到了智能機和便攜設備時代，形勢發生了根本的轉變，NAND Flash 快速取代 NOR Flash 成為閃存的主流。從 2008年到 2018 年的十年間，智能機出貨量的不斷攀升和單機存儲容量的不斷擴大成為推動 DRAM 和 NAND Flash 需求不斷擴大的主要力量之一。據 Yole 估計，2018 年記憶體市場有 61%的份額屬於 DRAM，NAND Flash 則佔 36%。剩下只有 5%留給 NOR Flash 以及 ROM 和 SRAM。在外存介質洗牌的過程中，DRAM 的市場份額一直維持在 50%以上，充分體現了它技術上的可擴展性和市場的巨大需求。
DRAM 工藝推進放緩，產能波動基本穩定。全球 DRAM 產能和投片量在 2010 年—2013 年間有一陣明顯的洗牌。2010 年 40nm 製程 DRAM 產品開始進入主流市場，在隨後三年裡製程工藝前沿快速提升到 20nm。主導技術換代的三星和海力士在維持產能不變的情況下獲得了存儲密度和成本的雙重優勢，導致其他廠商市場份額下降，當時的第四大 DRAM廠商爾必達在破產後被鎂光收購。2013—2017 年從供給端來看是一個產能的平台期，總體產能穩定，20nm 製程佔比逐步提升。DRAM 價格在這一時期先抑後揚，主要是在消化前期製程提升帶來的豐富供給。當前DRAM 市場的弱勢與 2013 年的根本不同在於目前沒有製程的跨越式發展，供求關係沒有質變。
當前全球 DRAM 投片量基本穩定（千片）
2016 年 DRAM 價格由跌轉漲，因此取 2016 年為供需平衡年，供給和需求指數都為 100，且每年的供給指數已經包含往年的庫存情況。2016 年主要廠商基本完成 20nm 製程轉換，結束 2013 年—2016 年的技術主導供給增長。導致 2017 年位元總體供求增速下降，產生供應缺口。2018 年三星擴產 8%，海力士無錫廠也小幅擴產，快速填補需求缺口，景氣行情終結。但是之後除海力士外其他大廠商均無大規模擴產，1Znm 以下製程預計要在 2021 年才大規模進入市場。今明兩年會是一個投片量、製程水準的雙重平台期，預計需求增速的反超會在 2019 年消化庫存，2020 年前後 DRAM 位元供求會重新達到平衡。
預計 2020 年左右前期庫存和輕微的供大於求會一並消化完畢，重新達到平衡。2020 年後 5G和 AI 的普及和應用將成為拉動半導體需求的重要力量，同時下一代DRAM 製程也將開始普及，整個 DRAM 市場供需關係會更加複雜，但規模總體向上的趨勢是確定的。
DRAM 市場應用推陳出新，下行周期總體可控，依然有很強的活力和價值。現在的問題就是面對這樣一個空間巨大但又被海外巨頭壟斷的市場，中國存儲 DRAM 企業要如何？記憶體產業雖然壁壘高企，但並非肩部可破。從歷史上存儲巨頭的崛起來看，技術引進+產學研一體自主研發+綜合扶持的發展道路是可行的。加上中國具備極大的需求市場，容易形成產業良性閉環，這也是一個其他國家沒有的重要優勢。
從存儲產業發展歷史中探尋中國存儲發展路線
記憶體產業作為一個技術密集、資本密集、高度壟斷的產業，對於後發追趕者來說向來不友好。中國存儲企業要發展壯大，除了需要市場需求層面的可行性外，還需要大量的資源投入來進行技術研發，並準備好更高層面的戰略博弈。這不僅是中國的道路，也是存儲產業發展歷史中每一個後發崛起者的道路。
縱觀半導體記憶體產業 50 年發展史，大致可以分為三個時期：1970——1982 的美國主導時期；1982——1998 的日本主導時期；1998 至今的韓國主導時期。除美國例外，其他兩國存儲產業的崛起都深度綁定了社會多方力量和總體經濟發展。而記憶體產業的發展形式，也由單純的“原發技術驅動”，經過“官產學共同技術驅動”，逐漸向“官產學共同技術驅動 + 多方面長期扶持”演變。
1、 美國主導時期：原發技術驅動的半導體存儲黎明
與日韓不同，美國發展記憶體的時候，個人電腦還沒有普及。因此當時記憶體用量小，價格高，記憶體的發展離商戰較遠，更多是以技術驅動。1969 年，在諾伊斯和摩爾等初代集成電路元勳們的努力下，英特爾成功開發出第一塊存儲芯片——容量為 64 個字節的 3101 芯片。次年，英特爾的 12 號員工特德.霍夫提出了一種新的設計，將 DRAM 記憶體單元的晶體管從四個減少到三個。這樣就可以把更多的存儲單元集結在一起，大大提高存儲空間，達到 1024 個字節。這是我們如今所用 DRAM的技術原型。
到了 1970 年，英特爾在記憶體的研發上更進一步，他們開發出來容量2K 的可擦除可編程隻讀記憶體（EPROM）。1972 年，英特爾更進一步開發出了世界上第一塊靜態隨機記憶體（SRAM）2102 芯片。到了 70、80 年代，記憶體的容量成指數增長，4K，16K，64K DRAM 芯片先後問世。這一時期的半導體記憶體基本由英特爾和 MOSTEK 等美國公司壟斷。
2、 日本存儲的崛起：開創“官產學”一體發展模式
日本作為後發的追趕者，開創了頂層設計護航半導體產業的先河。1970年代的日本政府一手抓“產官學”一體推進本土半導體實力發展，一手抓進口壁壘搞產業保護。日本的半導體存儲起步並不晚，1971 年 NEC就推出了 DRAM 芯片，緊追英特爾的量產 DRAM。儘管如此，日本半導體的技術實力和產品性能與美國依然有巨大差距。同期的美國記憶體已經用上了超大規模集成電路（VLSI），而日本還停留在上一代技術大規模集成電路（LSI）。
1976 年，由日本政府的通產省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、NEC五大公司作為骨乾，聯合了日本通產省的電氣技術實驗室（EIL）、日本工業技術研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所，投資了 720 億日元，攻堅超大規模集成電路 DRAM 的技術難關。為期四年的 VLSI 突破項目成績斐然，來自不同公司的團隊一方面互通有無，一方面互相競爭，共取得專利 1210 項，商業機密 347 件。
日本記憶體產業崛起留給我們最寶貴的經驗，就是揭示了存儲產業的技術密集和資本密集的特點，並且論證了官產學共同發展存儲產業的可行性和重要性。過了 1960 年代的記憶體田園時代以後，記憶體市場迅速增長，技術壁壘快速增高。在此後的競爭中，對技術、資金、市場三大要素的要求都極其嚴苛。單靠一個企業的力量已經難以追趕，因此後發追趕者勢必要通過企業和政府的通力合作才能成功。
3、 韓國存儲的崛起：研發+扶持打贏持久戰
韓國半導體產業早期的發展憑借的是低廉的勞動力成本和土地成本，吸引外商投資建廠。這一時期韓國快速積累了大量資本，同時形成了半導體產業的雛形。但缺少技術、勞動密集的低端發展模式在 70 年代走到了盡頭。為了推動產業升級，韓國政府在 1973 年宣布了“重工業促進計劃”，並於 1975 年公布了扶持半導體產業的六年計劃，強調實現電子配件及半導體生產的本土化。
有日本的成功經驗在前，韓國深知必須掌握核心科技才能在存儲之路上笑走得長遠。在 1982 年到 1987 年的“半導體工業振興計劃”期間，韓國效仿日本的 VLSI 攻堅項目，由韓國電子電子通信研究所牽頭，聯合三星、LG、現代三大集團以及韓國六所大學，一起對 DRAM 進行技術突破。該項目持續三年，研發費用達 1．1 億美元，韓國政府便承擔了57％。
除了技術追趕之外，韓國存儲霸權的確立還離不開歷史機遇和殘酷的商業搏殺。韓國存儲產業抓到的最大歷史機遇就是 1987 年的美日半導體爭端。這場爭端最終以日本退讓，承諾通過減少 DRAM 產量來提高芯片價格。但此時適逢計算機普及浪潮，DRAM 減產造成全球 256K DRAM缺口巨大，韓國存儲企業抓住機會，順勢填補市場空白。
在商戰方面，韓國的決心和實力可謂是破釜沉舟，不達目的不罷休，不顧長期巨虧，咬定存儲產業死死不放。比如，三星於 1984 年推出 64K DRAM 時，正趕上全球半導體業低潮，記憶體價格從每片 4 美元暴跌至每片 30 美分，而三星當時的生產成本是每片 1．3 美元，這意味著每賣出一片記憶體三星便虧 1 美元。而三星在後來的 90 年代，依然連續 9 年巨虧，在亞洲金融危機時負債率一度高達 300%。在此期間，韓國政府和國內財團的資金力量都力挺三星，光是韓國政府就以優惠利率先後提供了超過 60 億美元的政策性貸款。
時勢起東風至，中國存儲蓄勢待發
記憶體產業是典型的資本密集、技術密集產業，已經形成了巨頭壟斷的格局，一個新入局的企業單靠自身很難打破壁壘。從記憶體產業的發展歷史也可以看到，後發的追趕者越來越倚重於官產學一體研發、國內資本等企業外部力量的合力扶持。有鑒於上述歷史規律，我們認為記憶體國產化之所以可能在現在這個時間點實現有兩大原因：
1、 我國電子產業大環境日趨成熟，有巨大的半導體消費需求，同時產能和技術也在快速提升，產業轉型時間窗口的到來形成了客觀的“時勢”；
2、 社會綜合資源在順應時勢的情況下果斷大力支持記憶體產業，調動大量資源對記憶體國產化進行戰略攻堅，有助於國記憶體儲企業走出加強版的韓國路線，打破當前的壟斷格局 。
中國 DRAM 基礎其實並非一窮二白，而是有著近 40 年的發展歷程。但在前期很長一個階段裡受限於市場、技術、產業鏈不完整等因素，沒能成功建立自己的研發-生產-銷售體系，無法與國外 IDM 大廠正面競爭。直到 2016 年以後，中國存儲才開始成規模地發展自己的 IDM 體系。
中國 DRAM 發展的第一個階段是自主研發，在這個階段裡主要是技術的積累。但由於中國當時計算機產業整體落後，又沒有融入全球電子產業鏈之中，導致沒有足夠的量產能力和市場空間，技術無法轉化成產品。中國的 DRAM 自主研發之路起步並不晚，1981 年，中科院半導體所成功研製 16K DRAM。中國在 80 年代還推進了配套的製程技術的發展。
1986 年，電子部廈門集成電路發展戰略研討會上提出“七五”期間我國集成電路技術“531”發展戰略，即普及推廣 5 微米技術，開發 3 微米技術，進行 1 微米技術科技突破。在技術基礎向前推進的基礎下，1986-1989 年，由 742 廠和永川半導體所無錫分所合並成立了華晶電子集團，成功研製了中國人第一塊 64k DRAM，採用 2.5 微米工藝。
1990 年代至 2010 年代，中國 DRAM 產業處於自主技術量產和技術引進的市場化探索階段。在這一時期，“八五計劃”時期的“908 工程”和“九五計劃”時期的“909”計劃分別孕育了無錫華晶電子以及上海華虹微電子兩大晶圓廠，分別探索自主技術轉化以及外來技術引進的兩種國產 DRAM 市場化路線。最終第一條路線受製於技術封鎖和設備禁運，第二條路線則隨著海外 DRAM 合作廠商的衰落而被迫轉型。
1990 年 8 月，國務院決定在八五計劃（1990-1995）基礎上啟動“908 工程”，總投資 20 億元，其中 15 億元用在無錫華晶電子，建設月產能 1.2萬片的 6 英寸晶圓廠。1993 年，華晶電子首次成功研發 256K DRAM。1998 年，無錫華晶 DRAM 投產，月產能 6000 片，但因為西方封鎖，無法引入先進的 0.35/0.18 微米製程，使得華晶投產落成就落後於海外最新的先進水準。
1995 年 12 月，為落實“九五計劃”中，半導體生產工藝達到 0.5 微米的目標，國務院與上海市政府批準了“909 工程”，主要包括建設晶圓廠和建立設計公司兩大任務。其中上海市政府出資 5 億美元，成立華虹微電子，日本 NEC 出資 2 億美元，共同成立華虹 NEC，計劃總投資 12 億美金，在浦東建設 8 寸晶圓廠，由 NEC 提供 0.35 微米技術，生產當時主流的 64M DRAM 記憶體芯片。但 2001 年後隨著日本 NEC 退出 DRAM 市場，華虹也開始向晶圓代工廠商轉型。
2010 年以後，國內 DRAM 發展呈現多路並舉的局面，尤其是 2014 年以後，隨著國內產業基金的壯大和海外事業的拓展，出海並購成為這一時期的一個重要戰略。而在 DRAM 領域，中國資本先後收購奇夢達科技（西安）有限公司以及海外 DRAM 廠商 ISSI 是其中濃墨重彩的兩個大事件 。
2014 年以後，隨著集成電路產業逐漸成為經濟結構升級的重點發展方向，關注度和資金紛至遝來，中國存儲產業正式進入 IDM 時代。2016 年，合肥長鑫由合肥產投牽頭成立，主攻 DRAM 方向。在短短的兩年內，合肥長鑫在元件、光罩、設計、製造和測試領域都積累了許多的技術和經驗。除了自主研發外，合肥長鑫也積極貫徹穩健的技術合作路線，強調技術來源的合法合規以及合作互利共贏。通過與擁有深厚技術積累的奇夢達合作，在合規輸入技術的基礎上建立了嚴謹合規的研發體系，並結合當前先進設備完成了大幅度的工藝改進。
三十年來，中國經濟保持高速發展，並不斷加強尋求向更高附加值的產 業結構轉型。加之近幾年國家安全等因素，將 IC 國產化進一步提升到到一個新的高度，國產記憶體產業揚帆起航的東風已經到來。縱觀半導體行業的發展史，半導體產業經歷了兩次大的產業轉移，且正在經歷第三次大轉移，前兩次分別是從美國向日本轉移、從美日向台灣地區、韓國等地區轉移，而當下發生的是從台灣地區、韓國向中國大陸轉移。
世界範圍內的三次半導體產業轉移
產業轉移的趨勢又可以分為產能的轉移和需求的轉移，中國本身是全球最大半導體消費市場，同時半導體產能和技術正在快速提升。巨大的市場需求是拉動半導體產業發展的根本因素，也是促使產業鏈在全球範圍內進行不斷調整和轉移的重要原因。目前全球 60%以上的電子產品來自中國製造，所需半導體消耗量非常巨大。近年來，國際半導體市場增長趨於平穩， 2017 年全球半導體市場銷售額為 4124 億美元，其中中國市場半導體銷售額為 1315 億美元，佔到全球半導體銷售額的 32%。而從全球半導體資本支出情況來看，中國半導體產能正在快速集聚力量。2018 年中國大陸半導體資本支出 128.2 億美元，2020 年預計達到 170.6億美元，基本與韓國持平，時有超越。從 2014 到 2020 年，除 2017 年三星大幅投資外，大陸半導體資本支出增速都遠高於全球增速。
中國半導體資本支出快速增長（億美元）
從需求結構來看，中國品牌本身就有巨大的記憶體需求，他們有望在未來率先吸收國產記憶體產能。中國本土品牌在智能機和 PC 領域已佔據相當大的市場份額。雖然從 2017 年開始全球智能機出貨量就開始顯露疲態，但中國手機品牌卻逆勢快速擴張。在 2018 年的全球智能機市場上，華為、OPPO、VIVO、小米四大品牌佔據的市場份額達到 37%，相比 2017 年提升 7%個百分點。加上聯想（3%）、1+等品牌，中國品牌智能機市場份額直逼 50%。而在更加成熟的 PC 市場，聯想、宏碁、華碩三大中國品牌穩居全球前 6 大 PC 出貨品牌。國產 DRAM 一旦量產，這些中國品牌將成為最有潛力的消費客戶。
前六大 PC 廠商有三家中國品牌（千台）
在產能和需求都在轉向中國的半導體產業轉移大背景下，正是多方力量共同協力推動國產存儲的機會窗口。國家層面對於集成電路國產化進程高度重視。2014 年，《國家集成電路產業發展推進綱要》提出“芯片設計-芯片製造-封裝測試-裝備與材料”全產業鏈布局，同年成立了千億級別的產業基金對相關企業以財務投資的形式進行注資扶持。截至 2017年 11 月 30 日，大基金累計有效決策 62 個項目，涉及 46 家企業，累計有效承諾額 1063 億元，實際出資 794 億。目前“大基金”二期已經在募集中，預計總規模達 1500~2000 億元，同時提高對設計業的投資比例。
智東西認為， 記憶體佔據半導體產業和信息產業的核心地位，市場規模巨大，但壟斷格局牢固，巨頭優勢明顯。 在終端市場與製造產能都在中國的背景下，以記憶體為代表的核心半導體芯片國產化已是大勢所趨。隨著政策加持，中美貿易戰技術封鎖、半導體產業向中國轉移大背景下，中國的DRAM行業將迎來一次爆發式增長。
香港九龍灣馬來街興發大廈15樓D室