東芝也宣布了96層的QLC閃存，單芯片就有2.66TB

上午在西數宣布96層QLC閃存出樣的新聞中還在猜東芝官方什麽時候發新聞，實際上東芝公司今天也一樣發了96層堆棧BiCS 4技術的QLC閃存，閃存技術規格跟西數QLC閃存是一樣的，也是1.33Tb核心容量，不過雙發的進度、目標不同，東芝預計在9月份才開始出樣給客戶，2019年量產，目前已經開發出了單芯片2.66TB的硬碟原型。

東芝是NAND閃存的發明人，還是最早開發3D NAND閃存的，同時也是閃存芯片公司中第一個討論QLC閃存的，這點倒是不假，首次公開研發QLC閃存的廠商就是東芝，三星作為全球最大的NAND廠商在TLC閃存上先吃了螃蟹，但在QLC閃存三星倒是很低調，前不久量產的第五代V-NAND閃存還是TLC類型的，三星只是表態稱後續會有QLC閃存及1Tb核心容量的閃存。

東芝的QLC閃存規格西數的是一樣——準確來說是西數的QLC閃存跟東芝一樣的，使用的都是東芝的BiCS 4技術，96層堆棧。東芝/西數選擇的BiCS技術路線跟其他家的NAND閃存都不同，一直以來容量密度都是業界最好水準之一，這次的QLC閃存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特爾公布的1Tb核心大了33%。

基於1.33Tb核心的QLC閃存，東芝已經開發出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2.66TB，大家還記得東芝之前發布的RC100系列硬碟嗎，它使用的就是單芯片封裝，一顆閃存最大容量才480GB，現在QLC閃存的幫助下單芯片封裝實現了2.66TB的容量，是之前的5倍多。

在上市進度方面，西數那邊是已經出樣，今年量產，首發於閃迪SSD硬碟中，但東芝這邊要比西數慢一些，今年9月份才開始出樣給SSD硬碟及主控廠商，用於評估及開發，2019年才開始批量生產。不過今年8月份的FMS 2018閃存峰會上，東芝將會展示首個QLC封裝原型。