瘋狂 固態硬碟容量即將狂漲5倍

存儲密度一年之內翻5倍是什麽概念？去年你還用著16G的乞丐版結結巴巴過日子，突然之間換成64GB馬上翻身不用愁。閃存發展即將迎來近幾年最具革命性的突破，2T ROM的手機、8T容量的固態硬碟，馬上就要成真！ 

這一切希望都來源於東芝BiCS4——96層堆疊QLC閃存，單芯片最小容量1.33T比特，折算為字節大約是166GB，相比現在的64層3D TLC閃存存儲密度暴增520%！通過疊die封裝，一顆下圖中這樣的閃存顆粒存儲容量將有望達到2.66TB。

在用iPhone 7的小夥伴，你們可能在用它的前輩——東芝BiCS2 3D TLC閃存。

在用iPhone X的小夥伴，你們享受的是64層堆疊技術的東芝BiCS3 3D TLC閃存，存儲密度比iPhone 7當中的BiCS2（48層堆疊）提升了40%。

BiCS3同時也被應用在包括TR200（SATA接口）、RC100（M.2 NVMe接口）的東芝原廠固態硬碟當中，提供更高的容量和更快的讀寫性能。

即將到來的下一代東芝BiCS4的容量大漲除了從64層堆疊更新至96層堆疊帶來的提升之外，還得益於3D QLC全新架構，每個存儲單元包含多達16種狀態，表達4比特資訊。

每個單元存儲數據位的增加會帶來不穩定性，不過作為閃存世界締造者，東芝顯然有底氣解決複雜的技術難題。BiCS(Bit Cost Scalable)使用的Charge Trap結構相比平面閃存時代的Floating Gate結構更為耐用。

根據東芝提供的數據，3D QLC類型的BiCS4閃存依然會擁有1.5倍於傳統2D MLC、3倍於2D TLC的耐久度優勢：

BiCS4 3D QLC單晶粒存儲容量166GB，如果採用16die封裝，單顆閃存顆粒的存儲容量就將達到2.5TB以上。最近它的工程樣品就將開始提供給東芝合作夥伴及固態硬碟主控開發商進行適配，最早今年年底就會有固態硬碟產品問世。

明年的旗艦手機最大ROM容量突破2TB已經穩了。而東芝使用MCP多芯片封裝的迷你M.2 NVMe固態硬碟的最大容量也有望再度提升。未來筆電電腦的M.2插槽有望從M.2 2280縮小到M.2 2242甚至是M.2 2230的規格，從而帶來更小、更輕、更薄、更快的筆電電腦新體驗。