三星公布工藝開發路線圖：2022年生產3納米芯片

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三星公布工藝開發路線圖：2022年生產3納米芯片

日前，三星在美國舉辦了每年一度的“芯片製造論壇”（Foundry Forum）。在這次會議上，三星披露了推出7納米、5納米和3納米芯片製造工藝的路線圖。

7納米LPP將是三星採用遠紫外線光刻解決方案的第一種工藝，將於今年下半年投產，不過，採用這一工藝的芯片將從明年上半年開始量產。屆時，台積電也將開始量產採用7納米+工藝（也採用遠紫外線光刻解決方案）的芯片，並開始試生產5納米工藝芯片。

採用三星5納米LPE工藝的芯片將提供超低能耗。最後採用FinFET技術的芯片，將利用4納米工藝製造。利用該工藝製造的芯片性能更高，尺寸更小。這兩種工藝的芯片將分別於2019年和2020年投產。今年早些時候，韓國有媒體報導稱，三星將為高通製造採用7納米工藝的驍龍855芯片——消息稱它將用於三星明年的Galaxy S10手機。

從3納米工藝芯片開始，三星將利用自家新一代環繞柵極（Gate all-around）架構，預計3納米工藝芯片要到2022年才會投產。值得指出的是，生產工藝越先進，製造的芯片性能就越強大，越節能。