國產閃存芯片迎突破！光谷量產中國首款64層三維閃存芯片

楚天都市報9月2日訊（記者胡長幸）今日，紫光集團旗下長江存儲在武漢光谷宣布，基於Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存已開始量產。該產品作為中國首款64層3DNAND閃存，其量產將滿足固態硬碟、嵌入式存儲等主流市場應用需求，標誌著光谷已成功走出了一條高端芯片設計製造的創新之路。

3D NAND即三維閃存技術，基於該技術的閃存芯片就像是立體停車場，在同樣的“佔地面積”之下能夠容納更多倍數據量。Xtacking架構是長江存儲自主研發的一種突破性3D閃存架構，它就像一個由無數根羅馬柱支撐起的宮殿，能夠在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元。當兩片晶圓各自完工後，該技術只需一個處理步驟，就可通過數十億根垂直互聯通道，將兩片晶圓鍵合。相比傳統三維閃存架構，該技術可帶來更快的寫入和讀取傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。

長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示，隨著5G、人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。64層3DNAND閃存產品量產後，長江存儲還計劃推出集成64層3D NAND閃存的固態硬碟等產品，為全球記憶體市場健康發展注入新動力。

2016年12月，國家記憶體基地在武漢光谷啟動建設。它標誌著中國集成電路存儲芯片產業，在規模化發展上實現了“零”的突破。短短兩年間，記憶體基地一號芯片生產廠房封頂、國內首顆自主研發32層三維閃存芯片研發問世、芯片生產機台安裝調試、首台光刻機進廠調試。圍繞“一芯驅動”戰略布局，一座芯片之城在光谷加速崛起。