比SLC還快！東芝發布3D XL高性能閃存

在剛剛開幕的FMS 2018閃存峰會上，東芝宣布了3D XL高性能版閃存。3D XL技術可將讀取延遲降低10倍，構成對英特爾傲騰3D XPoint閃存的直接挑戰。

東芝3D XL閃存在低隊列深度下提供超低延遲，相比普通閃存而言更接近DRAM記憶體的表現，與此同時，它還具備閃存的非易失（斷電後數據不丟失）特性。這些特性都類似於有黑科技之稱的英特爾3D XPoint閃存。

東芝表示XL閃存可以被開發為SLC或MLC多層類型降低成本，避免重蹈英特爾傲騰3D Xoint閃存的覆轍，後者現在因為價格昂貴而被迫暫時停產。

為達成更高的性能，東芝通過在存儲單元間使用更短的位線和字線，並設計更多的Plane平面來實現同步完成對更多讀寫請求的響應，提升XL閃存的性能表現：寫入延遲7微秒，相比QLC低4.3倍。

在演講中東芝談到了XL高性能閃存的應用方式：用XL高性能閃存搭配QLC大容量閃存，取代過去DRAM記憶體與HDD機械硬碟的組合。二者將擁有相同的成本與存儲容量！

簡單來說，等待我們的將是比英特爾傲騰更便宜、比當前最快的NAND閃存固態硬碟還要快的高端固態硬碟。儘管東芝沒有披露新型XL高性能閃存的具體原理，但早些時候泄露的一分Roadmap路線圖中顯示，東芝將發展基於ReRAM（電阻式隨機存取記憶體）的高性能存儲級記憶體，這或許就是XL高性能閃存的原型。

現在談XL閃存的價格為時尚早，從預計的時間來看，XL閃存應該會首先進入企業級產品市場，並在降低成本後運用到高端家用固態硬碟當中，這個時間應該不早於2020年。

當然作為普通消費者，還有更多更接近我們的新技術值得期待，譬如96層3D堆疊閃存。東芝研發的96層3D TLC閃存已經率先應用在XG6 NVMe固態硬碟當中。

BiCS4閃存還將衍生出QLC類型，單個閃存晶粒的存儲容量達到1.33Tb，結合多芯片封裝技術，將單個閃存顆粒的存儲容量提升至創紀錄的2.66TB，接近當前主流機械硬碟容量。壽命方面，東芝3D QLC閃存將提供不低於1000PE的擦寫壽命，與TLC的表現持平。

在上世紀80年代東芝發明閃存時，誰也未曾料想它會成為當前發展最快的半導體技術之一，推動數位產品小型化、高速化，並滲透至每個人生活的一部分。在3D閃存廉價化、大容量化發展的今天，東芝宣布新的3D XL閃存目的就是為了填補SLC停產後高性能閃存上的空缺，為用戶提供更多的選擇。