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格芯最新FinFET工藝12LP+研發成功:性能增加2成

來源:新浪VR

在過去一段時間裡,格芯已經放棄了對於10nm一下製程的研發投入,同時還大力精簡投資,出售旗下部分晶圓廠。不過,對於其現有的成熟工藝,格芯依舊保持了極高的優化熱情。

最近,格芯正式對外宣布,旗下最先進的FinFET 12LP+工藝完成研發,並已準備正式投產。按照官方說法,12LP+的性能較前代(12LP)增加了20%、面積則減少了10%。這些參數的進步,主要得益於改進的模擬布局設計法則、新的低壓SRAM、獨立 鰭片單元和性能驅動的區塊優化組件。

目前,12LP+已在當下火熱的AI訓練芯片領域通過了IP驗證,可以在很大程度上壓縮成本,產生更大價值。另外,格芯也在豐富12nmLP+的IP組合包,目標包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e顯存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。

據了解,格芯的12nmLP+將主要放在美國本土紐約州Malta的Fab8工廠生產,今年下半年內會有多套方案流片。

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