光刻機概念掀漲停潮，這些國產龍頭你都知道嗎？

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資金原來炒的是這個“卡脖子技術”。

今日（5月27日），國產芯片股的一路領漲，體現出“芯片製造”是自主可控中當仁不讓的第一技術。

圍繞著“芯片製造”來看，光刻工藝可以說是芯片的卡脖子技術。據悉，光刻工藝的成本約佔整個芯片製造工藝的35%，耗時佔整個芯片工藝的 40%至60%。

光刻工藝有兩個重要部分，一個是光刻機、一個是光刻膠；今日盤面上，智光電氣和南大光電雙雙漲停，正是得益於光刻工藝產業鏈的利好。

智光電氣在互動平台上表示，參股公司粵芯半導體採購的荷蘭ASML光刻機，已於2019年3月中旬搬進粵芯半導體主廠房，目前在做量產前的最後調試準備

南大光電在互動平台上表示，參股公司北京科華開發的248nm光刻膠目前已通過包括中芯國際在內的部分客戶的認證。

目前，國內芯片企業在高端光刻機、高端光刻膠技術上正全力追趕，光刻工藝產業鏈勢必將成為自主可控技術的“排頭兵”。

光刻機：龍頭巨資購買設備

先來說一下光刻機。

光刻機被業界譽為集成電路產業皇冠上的明珠，研發的技術門檻和資金門檻非常高；正因如此，能生產高端光刻機的廠商非常少，最知名的當屬荷蘭的ASML。

說起荷蘭的ASML，去年就應有不少人已經知曉。

2018年5月，中芯國際以1.2億美元的價格向荷蘭芯片設備製造商 ASML 購買了一台EUV光刻設備，中芯國際也成為國家首家向ASML購買光刻機的芯片企業，而1.2已美元的價格也幾乎花掉了中芯國際2017年的所有利潤。

中芯國際之所以願意花這麽大的價格，就是因為EUV光刻機是當前最先進的光刻機，是唯一能夠生產7nm以下製程的設備，因為它發射的光線波長僅為現有設備的十五分之一，能夠蝕刻更加精細的半導體電路，所以EUV也被成為“突破摩爾定律的救星”。

2019年起，半導體芯片進入7nm時代開始（現在我們處於10nm時代），EUV光刻機是絕對的戰略性設備，沒有它就會寸步難行。

相比之下，國內光刻機廠商則顯得非常落後，處於技術領先的上海微電子裝備已量產的光刻機中性能最好的是90nm光刻機，製程上的差距就很大；當前，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。

不過值得一說的是，ASML 如今是世界上唯一一個能夠製造 EUV光刻機的廠商，如台積電、英特爾和三星等半導體巨頭也都無法制造；當前，台積電的光刻機技術還在28nm和14nm上掙扎。

據悉，這三家巨頭也都已經向ASML採購了EUV光刻設備，台積電預定了10套，三星6套，英特爾3套。

光刻膠：打破高端瓶頸

相較於光刻機技術的巨大差距，國內光刻膠技術正在全速追趕。

此次研發出248nm光刻膠的北京科華正是國內光刻膠龍頭之一。

2006 年，國務院在《國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006-2020年）》中提出《極大規模集成電路製造技術及成套工藝》項目，因次序排在國家重大專項所列16個重大專項第二位，在行業內被稱為“02 專項”。

為促進國內光刻膠產業的發展，國家02重大專項給予了大力支持，項目支持了國內許多半導體企業，光刻膠行業龍頭晶瑞股份（蘇州瑞紅）和南大光電（北京科華）也分別承接了 02 專項項目。

產能上，全球光刻膠市場幾乎被美國和日本幾家企業所壟斷，如日本合成橡膠（ JSR ）、東京應化 TOK ）、住友化學、信越化學、美國羅門哈斯等，市場集中度非常高，大陸內資企業所佔市場份額不足 10%。

類別上，當前光刻膠可分為5個等級，即g線光刻膠（426nm）、i線光刻膠（365nm）、KrF光刻膠（248nm）、ArF乾法（193nm）和ArF浸濕法（193nm）。

用途上，g線光刻膠和i線光刻膠技術含量較低，只能應用於6寸晶圓；目前，以科華微電子和晶瑞股份為代表的企業已經實現了i線光刻膠（365nm）的突破，並獲得下遊量產訂單；而現在半導體主流的8寸晶圓則需要KrF光刻膠，更高端的12寸晶圓則需要ArF（193nm）。

此次北京科華所研發出的KrF光刻膠能夠得到中芯國際等客戶的認證，無疑是國內光刻膠技術的又一重大突破。

“光刻工藝”將獲大基金二期更多投入

眾所周知，為了發展國內集成電路產業鏈，國家成立了集成電路大基金一期資金（下稱“大基金一期”）。目前，大基金一期的1387億資金已投資完畢；從投資佔比來看，大基金一期67%的資金投資於集成電路製造， 6%的資金投資於裝備材類。

2018年4月，國新辦新聞發言人陳因表示，大基金二期正在募集之中；據國元證券預計，大基金二期的規模將超過1500億元。

與此同時，國元證券指出，由於大基金一期的投資注重於集成電路製造，因此二期的資金投資方向將向國內半導體產業鏈薄弱環節傾斜，即裝備和材料領域；而當前高端光刻機和高端光刻膠都尚處於空白，未來獲得資金和政策雙重支持的概率很大。

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