ASML研發二代EUV光刻機：性能提升70％，2025年問世

摘要：日前據韓媒報導稱，ASML公司正積極投資研發下一代EUV光刻機，與現有的光刻機相比，二代EUV光刻機最大的變化就是High NA（高數值孔徑）透鏡，通過提升透鏡規格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%，達到業界對幾何式芯片微縮的要求。

半導體制造過程中最複雜也是最難的步驟就是光刻，成本能佔到整個生產過程的1/3，光刻機也因此成為最重要的半導體制造裝備，沒有之一。目前最先進的光刻機是荷蘭ASML公司生產的EUV光刻機，每台售價超過1億美元，而且供不應求。

2019年，台積電、三星都會開始量產7nm EUV工藝，現有的EUV光刻機也差不多成熟了，雖然產量比起傳統的DUV光刻機還有所不如，不過已經能夠穩定量產了，7nm及明年的5nm節點上EUV光刻機都會是重點。

EUV光刻機未來還能怎麽發展？2016年ASML公司宣布斥資20億美元收購德國蔡司公司25%的股份，並投資數億美元合作研發新一代透鏡，而ASML這麽大手筆投資光學鏡頭公司就是為了研發新一代EUV光刻機。

日前據韓媒報導稱，ASML公司正積極投資研發下一代EUV光刻機，與現有的光刻機相比，二代EUV光刻機最大的變化就是High NA（高數值孔徑）透鏡，通過提升透鏡規格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%，達到業界對幾何式芯片微縮的要求。

在這個問題上，ASML去年10月份就宣布與IMEC比利時微電子中心合作研發新一代EUV光刻機，目標是將NA從0.33提升到0.5以上，而從光刻機的分辨率公式——光刻機分辨率=k1*λ/NA中可以看出，NA數字越大，光刻機分辨率越高，所以提高NA數值孔徑是下一代EUV光刻機的關鍵，畢竟現在EUV極紫外光已經提升過一次了。

之前ASML公布的新一代EUV光刻機的量產時間是2024年，不過最新報導稱下一代EUV光刻機是2025年量產，這個時間上台積電、三星都已經量產3nm工藝了，甚至開始進軍2nm、1nm節點了。

來源：快科技