中芯國際7nm工藝或Q4季度問世：性能可提升20%

　　台積電、三星今年就要量產5nm工藝了，國內的先進工藝還在追趕，最大的晶圓代工廠中芯國際去年底量產了14nm工藝，帶來了1%的營收，收入769萬美元，不過該工藝技術已經可以滿足國內95%的需求了。

　　14nm及改進型的12nm工藝是中芯國際第一代FinFET工藝，他們還在研發更先進的N+1括N+2 FinFET工藝，分別相當於7nm工藝的低功耗、高性能版本。

　　根據中芯國際聯席CEO梁孟松博士所示，N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

　　N+1之後還會有N+2，這兩種工藝在功耗上表現差不多，區別在於 性能及成本，N+2顯然是面向高性能的，成本也會增加。

　　至於備受關注的EUV光刻機，梁孟松表示在當前的環境下，N+1、N+2代工藝都不會使用EUV工藝，等到設備就緒之後，N+2工藝可能會有幾層光罩使用EUV，之後的工藝才會大規模轉向EUV光刻工藝。

　　現在最關鍵的是中芯國際的7nm何時量產，最新消息稱中芯國際的N+1 FinFET工藝已經有客戶導入了（不過沒公布客戶名單），今年Q4季度小規模生產——這個消息比之前的爆料要好一些，進度更快。

　　為了加快先進工藝產能，中芯國際今年的資本開支將達到31億美元（該公司一年營收也不過30億美元上下），其中20億美元用於中芯國際的上海12英寸晶圓廠，5億美元用於北京12英寸晶圓廠。