SK海力士DDR5-6400記憶體細節：1ynm工藝製造 存儲密度翻番

　　SK海力士近日公布了第一顆DDR5-6400記憶體芯片，頻率高達6400MHz，是現在多數DDR4記憶體的兩倍左右，而單顆容量為16Gb(2GB)。

　　SK海力士的這種DDR5-6400記憶體採用1ynm工藝製造，也就是第二代10nm級別工藝(DRAM工藝現在極少明確到個位數)，四個金屬層，面積為76.22平方毫米。

這是什麽概念呢？

　　SK海力士此前的第一代21nm工藝8Gb(1GB) DDR4記憶體芯片面積是76平方毫米，等於如今在同樣的面積內實現了兩倍的容量，存儲密度翻了一番。

　　不過，76.22平方毫米仍然是相當大的面積，成本肯定很高，後續仍依賴於工藝的進步，比如第二代21nm工藝的8Gb DDR4就縮小到了53.6平方毫米，足足30％。

　　當然了，翻番的存儲密度可以有效抵消上漲的成本，更何況還可以做出更小的4Gb芯片。

　　另外，新記憶體的工作電壓僅為1.1V，相比於DDR4標準的1.2V又降低了大約8％，而很多高頻DDR4記憶體都要加到1.35V甚至是很危險的1.5V。

　　為了達成6400MHz高頻率、1.1V低電壓，SK海力士在電路設計上費了不少心思，比如為了減少高頻下的時鐘抖動、時鐘佔空比失真，加裝了新的延遲鎖定環DLL，使用了相位旋轉器(phase rotator)、注頻鎖相振蕩器(injection locked oscillator)。

　　另外還有新的前向反饋均衡(FFE)電路，以及新的寫入均衡訓練算法。

　　目前，三星電子、SK海力士、美光等巨頭都在衝刺DDR5，但是行業規範遲遲沒能定下來，原計劃2018年底出爐現已嚴重超時，而且JEDEC組織一直沒有給出新的時間表。

　　而在另一方面，針對智能手機等低功耗便攜式設備的LPDDR5都已經搞定了。