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三星研發的新技術,真讓國產存儲芯片緊張了

【文/觀察者網專欄作者 鐵流】

據統計,2017年NAND和DRAM銷售總額高達1320億美元,比2016年的800億美元增長了65%。銷售額暴漲的重要原因之一,就是NAND和DRAM價格瘋漲。其中幕後的黑手就是三星,畢竟三星在存儲芯片市場的份額非常高,只要聯合約為韓國企業的SK海力士,就可以輕易操縱市場。

近年來,長江存儲等一批企業開始突破存儲芯片,意圖擺脫三星、SK海力士、東芝、鎂光、閃迪等廠商的掣肘。然而,三星的兩個舉措很有可能是在為狙擊中國存儲芯片做準備。

一是三星刻意控制產能,防止存儲芯片價格下滑。由於三星可以控制產量,直接導致鎂光一些半導體設備廠商的設備出貨量在短期內下滑了20%左右。三星之所以要這樣做,極有可能是想在國產存儲芯片上市前,再大賺一筆錢,存儲充足的彈藥,為將來和國產存儲芯片打價格戰做準備。

另一個消息是三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量產。新一代存儲芯片在存儲與記憶體之間的數據傳輸率高達1.4Gbps,比上代64層堆疊提升了40%。電壓從1.8V降至1.2V,性能功耗比有所提高。

此外,韓國媒體報導,三星計劃擴大韓國平澤工廠。如果國產存儲芯片上市之時,三星開始暴產能,而且是最新的第五代V-NAND,國產存儲芯片將面臨技術和成本雙重競爭,將會處於非常不利的局面。

如果三星、SK海力士、鎂光、東芝等國外廠商聯手絞殺,國產存儲芯片將會處於非常尷尬的境地,可能會遭遇比京東方早年還要嚴重的虧損。中國存儲芯片逆襲之路,恐怕不會很順利,沒準也要經歷10年內連年虧損這樣一個過程。

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