華為出手第三代半導體材料 性能實現千倍提升

證券時報e公司訊，華為4月成立的哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天嶽先進材料科技有限公司，持股10%。山東天嶽是我國第三代半導體材料碳化矽龍頭企業。碳化矽是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較矽材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”。A股公司中，天通股價布局了半導體材料碳化矽，露笑科技擁有碳化矽長晶設備，楚江新材子公司頂立科技具備碳化矽技術儲備和產業化能力。